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GD32E231

• GigaDevice：Cortex-M23
• L3R3：72 MHz (55DMIPS,154CoreMark)

简介

GD32E231 采用了业界领先的55nm低功耗工艺制程，配备了16KB到64KB的嵌入式闪存及4KB到8KB的SRAM，配合内置的硬件乘法器、除法器和加速单元，在最高主频下的工作性能可达55DMIPS，CoreMark®测试可达154分。同主频下的代码执行效率相比市场同类Cortex®-M0产品提高40%，相比Cortex®-M0+产品也提高30%以上。

关键特性

• 1个12位, 1μs ADC (高达 10通道)
• 1个轨到轨比较器
• 2个OP-AMP

封装规格

• LQFP48 (7 x 7 x 1.4mm)

选型建议

GD32E231

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